FTM107-A膜厚監控儀使用說明書
上海泰堯真空科技有限公司
簡介
歡迎使用FTM-107A膜厚監控儀。
FTM-107A膜厚監控儀使用說明書對探頭安裝、儀器操作、設備維護等方面都作了詳細說明,因此在使用本儀器之前請仔細閱讀,相信會給您操作帶來一定幫助,謝謝!
FTM-107A膜厚監控儀適用于普通蒸發、磁控濺射、離子鍍等真空鍍膜厚度測量,通過液晶屏和數碼管顯示,使您能獲取完整的沉積數據,包括速率、厚度、鍍膜曲線和鍍膜時間。儀器附有本公司專用探頭和6MHZ平面石英測厚,這兩樣提供較高的測量靈敏度,以適應您的鍍膜重復性技術要求所需的精度。
FTM-107A膜厚監控儀采用先進的觸摸屏技術,控制和顯示均通過觸摸屏實現;同時配有數碼管顯示實時速率和厚度,以適應習慣數碼管顯示的技術人員。另外我采用了更先進的軟件和硬件設備,進一步提高了儀器抗干擾能力。 儀器可選用257種材料,用戶可自行定義10中材料。
儀器與計算機連接,我們在提供RS232串行接口外,還增加了RS485并行接口,可用一臺電腦控制若干臺儀器,大大便于用戶自動化程度。并配有專門的控制軟件,此軟件可滿足大多數用戶需求。
歡迎使用FTM-107A膜厚監控儀。
FTM-107A膜厚監控儀使用說明書對探頭安裝、儀器操作、設備維護等方面都作了詳細說明,因此在使用本儀器之前請仔細閱讀,相信會給您操作帶來一定幫助,謝謝!
FTM-107A膜厚監控儀適用于普通蒸發、磁控濺射、離子鍍等真空鍍膜厚度測量,通過液晶屏和數碼管顯示,使您能獲取完整的沉積數據,包括速率、厚度、鍍膜曲線和鍍膜時間。儀器附有本公司專用探頭和6MHZ平面石英測厚,這兩樣提供較高的測量靈敏度,以適應您的鍍膜重復性技術要求所需的精度。
FTM-107A膜厚監控儀采用先進的觸摸屏技術,控制和顯示均通過觸摸屏實現;同時配有數碼管顯示實時速率和厚度,以適應習慣數碼管顯示的技術人員。另外我采用了更先進的軟件和硬件設備,進一步提高了儀器抗干擾能力。 儀器可選用257種材料,用戶可自行定義10中材料。
儀器與計算機連接,我們在提供RS232串行接口外,還增加了RS485并行接口,可用一臺電腦控制若干臺儀器,大大便于用戶自動化程度。并配有專門的控制軟件,此軟件可滿足大多數用戶需求。
目錄
一.整體外觀描述
二.技術規范
1.儀器技術指標
2.標準探頭技術規范
3.帶檔板探頭技術規范
三.編程與操作
1. 觸摸屏操作方法
2.儀器操作
(1)系統設置
(2)材料設置
(3)膜層編程
(4)開始鍍膜
(5)舉例說明參數設置
(6)操作方法
(7)人工終止鍍膜
四.安裝與連接
五.維護、修理和保養
六.常用材料參數表
七.計算機連接
二.技術規范
1.儀器技術指標
2.標準探頭技術規范
3.帶檔板探頭技術規范
三.編程與操作
1. 觸摸屏操作方法
2.儀器操作
(1)系統設置
(2)材料設置
(3)膜層編程
(4)開始鍍膜
(5)舉例說明參數設置
(6)操作方法
(7)人工終止鍍膜
四.安裝與連接
五.維護、修理和保養
六.常用材料參數表
七.計算機連接
一.整體外觀描述
1、外形
FDC-S膜厚控制儀外型參見下圖。

2、前面板
FTM-107A 膜厚監控儀前面板參見下圖

圖中序號 名稱 說明
1 觸摸屏 用于顯示各種參數、曲線;用于控制
2 速率數碼管 用于顯示實時速率
3 厚度數碼管 用于顯示實時厚度
4 電源開關 電源開關
5 鍍膜指示燈 鍍膜時亮,暫停和停止時滅
3、后面板
FTM-107A 膜厚監控儀后板示意圖如下:

1. 電源插座(交流220V)
2. 探頭輸入插座(A、B、C、D): 用戶可以任選其中一個使用,但編程設置時應與它相對應。
3. 擋板信號輸出口 為繼電器信號,可輸出2個繼電器信號。除控制擋板外,用戶可用其控制其他設備。
4.地線柱 連接大地線,以防干擾。
5.RS485/RS232接口 用于電腦并行/串行控制。
二.技術規范
1.儀器技術指標
1、FTM107-A的主要技術指標如下:
(1)厚度范圍 0-99?9999? (2)厚度顯示分辨率 1?
(3)速率范圍 0-999.9? (4)速率顯示分辨率 0.1?
(5)晶振頻率 6MHZ(也可自行配備2.5M/3M/5M/9M的晶振)
2.編程功能
(1)設置鍍膜厚度 1?-99?9999? (2)鍍膜層數 99層
(3)材料參數 257種材料參數,可任意調用。也可自定義10種
(4)工具因子 0.01-99.99 (5)探頭選擇 4探頭
3.輸入輸出控制
(1)探頭輸入 來源于晶體振蕩器
(2)輸出接頭 用于控制源檔板或鍍膜源,觸點容量最大為4A/220V
4.顯示
(1)編程顯示 用一幀幅面顯示全編程內容
(2)工作層顯示 顯示鍍膜層、材料和使用晶體振蕩頻率百分比
(3)鍍膜顯示 鍍膜過程中的速率曲線、鍍膜時間、實時速率和厚度等。
(4)鍍膜結束顯示 顯示鍍膜結束后的監測實厚、材料和層次號
5.特殊功能
(1)人工停止 具有人工停止鍍膜功能
(2)RS-232/ RS-485接口
(3)電源 AC220V(?5%),50Hz,功率<20W
(4)工作環境 10℃-30℃
(5)機箱尺寸 480*300*89mm
2.標準探頭技術規范
1. 標準探頭外型參見下圖

(1)最高溫度 105℃(通水時300℃)
(2)尺寸(最大封裝) φ26X12mm(外蓋直徑X高)
(3)水管和同軸電纜長度 10-80cm,水管外徑4mm不銹鋼管
(4)晶片更換 前面裝載,容易更換
2. 安裝
(1)水管饋送接頭 帶小孔黃銅同軸接頭,內徑φ4mm
(2)“O”密封 外徑φ36×3mm,φ45×3mm(φ26,φ32通孔)
(3)刀口密封 CF-35
(4)水流量 水流量150-200cm/min,水溫不超過25℃
3. 材料
(1)殼體和支撐體 1Cr18Ni9Ti不銹鋼
(2)彈簧片 鍍金
(3)水管 1Cr18Ni9Ti無封不銹鋼管
(4)接頭 帶小孔黃銅同軸接頭
(5)絕緣材料 聚四氟乙烯
(6)導線 聚四氟乙烯絕緣銅線
(7)晶片 6MHz左右,AT切割,鍍金
3.帶檔板探頭技術規范
1. 帶檔板探頭外型,參見圖(5)
(3)電源 AC220V(?5%),50Hz,功率<20W
(4)工作環境 10℃-30℃
(5)機箱尺寸 480*300*89mm
2.標準探頭技術規范
1. 標準探頭外型參見下圖

(1)最高溫度 105℃(通水時300℃)
(2)尺寸(最大封裝) φ26X12mm(外蓋直徑X高)
(3)水管和同軸電纜長度 10-80cm,水管外徑4mm不銹鋼管
(4)晶片更換 前面裝載,容易更換
2. 安裝
(1)水管饋送接頭 帶小孔黃銅同軸接頭,內徑φ4mm
(2)“O”密封 外徑φ36×3mm,φ45×3mm(φ26,φ32通孔)
(3)刀口密封 CF-35
(4)水流量 水流量150-200cm/min,水溫不超過25℃
3. 材料
(1)殼體和支撐體 1Cr18Ni9Ti不銹鋼
(2)彈簧片 鍍金
(3)水管 1Cr18Ni9Ti無封不銹鋼管
(4)接頭 帶小孔黃銅同軸接頭
(5)絕緣材料 聚四氟乙烯
(6)導線 聚四氟乙烯絕緣銅線
(7)晶片 6MHz左右,AT切割,鍍金
3.帶檔板探頭技術規范
1. 帶檔板探頭外型,參見圖(5)

圖(5)帶檔板探頭外型
(1) 最高溫度 105℃(通水時300℃)
(2) 尺寸(最大封裝) φ35X18mm(外蓋直徑X高)
(3) 氣管、水管和電纜長度 10-80cm,外徑4mm無縫不銹鋼管
(4) 晶片更換 前面裝載,容易更換
2. 安裝
(1) 氣管、立管饋送接頭 帶小孔黃銅同軸接頭,內徑φ4mm
(2)“O”密封圈 外徑φ36X3mm,外徑φ45X3mm(φ26mm,φ32mm通孔)
(3)刀口密封 CF-35
(4)水流量 水流量150-200cc/min,水溫不超過25℃
3. 材料
(1) 殼體和支撐體 1Cr18Ni9Ti
(2) 彈簧片 鍍金
(3) 送水管、氣管 1Cr18Ni9Ti無縫不銹鋼管
(4) 接頭 帶小孔黃銅同軸接頭]
(5) 絕緣材料 聚四氟乙烯
(6) 導線 聚四氟乙烯絕緣銅線
(7) 晶片 6MHZ左右,AT切割,鍍金
三.編程與操作
1. 觸摸屏操作方法
觸摸屏有3種可操作的選項:直接命令按鈕、數字輸入按鈕、選擇按鈕。下面舉例說明其操作方法:
(1)直接命令按鈕:在觸摸屏上,直接點擊按鈕可進行相應的控制操作。例如直接點擊鍍膜界面的“開始”按鈕 ,即可開始鍍膜操作;
(2)數字輸入按鈕:直接點擊帶黑框的內容,即可對該內容進行輸入設置編程。例如點擊膜層編程界面的“密度” 按鈕,則會彈出一個數字輸入框,可輸入該材料密度。對于需要輸入時間的地方,小數點“.”的作用等于“:”。例如需要輸入時間為1:25,則實際輸入應為1.25,即1分25秒;輸入0.08則等于0:08即8秒。輸入0.1等于0:10,即為10秒。
(3)選擇按鈕:直接點擊帶黑框的內容,即會彈出選擇項,選擇所需內容即可。例如在系統設置界面點擊晶振類型 框,則會彈出一個選項框,點擊所需晶振類型即可。


按鈕按下時,觸摸屏會有按鈕提示音。晶振失效時,會有蜂鳴器報警提示。若要關閉蜂鳴器可按“靜音”按鈕。
2.儀器操作
通電開機后,進入主界面
如果上電后沒有顯示,請檢查電源是否插好,熔絲是否燒斷等。
主界面中:左上角顯示實時時間,該時間可修改。
中間有4個按鈕選項:系統設置、膜層編程、材料輸入、開始鍍膜。
底部中間:第1層所使用的探頭的頻率,如果探頭頻率均為0,則蜂鳴器會報警提示沒有頻率,以方便用戶在開始鍍膜前及時檢查。如需關閉該報警提示,則按右下角的靜音喇叭按鈕即可。
(1)系統設置
擋板延時:該參數定義鍍膜結束后延時多少秒再開始下一層鍍膜(與巡回次數搭配使用)。
通訊地址:232或485通訊的地址,取值范圍為1-99。
擋板延時:該參數定義鍍膜結束后延時多少秒再開始下一層鍍膜(與巡回次數搭配使用)。
通訊地址:232或485通訊的地址,取值范圍為1-99。

晶振類型:用于選擇使用的晶振類型。有6MHz、2.5MHz、3MHz、5MHz、9MHz(10MHz為預留,暫不可用)可供選擇。常用晶振片為6MHz,若非6MHz晶振,則必須選擇好正確的晶振頻率。
巡回次數:此功能搭配擋板延時功能,可以實現多層自動鍍膜。舉例說明:假設當前擋板延時為10s,巡回次數為3次。膜層1-3的參數已設置完成。則在“開始鍍膜”界面選擇從第1層開始,當點擊“啟動”鍍膜按鈕后,系統自動從第1層開始鍍膜。當第1層厚度到達后,延時10s后,自動開始第2層。第2層厚度到達后,延時10s,啟動第3層;第3層厚度到達后,延時10s;此時由于第4層參數尚未設置,系統認為本次巡回完成,開始下一輪巡回。即從第1層開始自動開始鍍膜。如此往復3次。也即從第1層開始,依次自動完成膜層1-2-3(第1次巡回)-1-2-3(第2次巡回)-1-2-3(第3次巡回)。最后,系統會顯示巡回完成信息提示。
每次擋板延時時,會伴隨蜂鳴器的鳴響。
每輪巡回的開始層,以按下“啟動”按鈕的層為準。巡回的結束層以設置的層參數是否有效位置。即當碰到參數無效的層后,即認為本輪巡回結束。
如果不用巡回功能,需將其設置為0。
點擊需要設置的選項框,在彈出的數字框中輸入數字,輸入完成按確認;或在彈出的選擇框中,選擇需要的選項即可。
擋板測試:用于測試繼電器輸出是否連接正常。點擊“擋板測試”按鈕,4個繼電器全部閉合,再次點擊時,則斷開。
設置完成后,按“保存退出”按鈕,保存并退出。
(2)材料設置
系統內存儲了257中材料的參數,除此之外,用戶還可定義最多10中材料參數。在主界面中按“材料設置”可進入材料設置界面。系統默認顯示第258種材料的參數。

材料編號:
范圍為258-267。自定義材料的編號。點擊“材料編號”,在彈出的數字輸入鍵盤中輸入對應的材料編號。
材料名稱:

字母和數字的組合,長度最多為10。點擊“材料名稱”,在彈出的鍵盤輸入頁中輸入自定義材料。輸入中可通過“大小寫轉換”進行字母的大小寫切換,材料名稱只能是字母和數字的組合。輸入完成按“OK”鍵返回。例如要輸入材料名稱為“H4F”,則點擊“材料名稱”后,在彈出的輸入界面中依次點擊“大小寫轉換”---“H”---“4”---“F”---“OK”鍵完成輸入,如圖所示。
材料密度:輸入范圍為0.01-99.99。
Z因子:輸入范圍為0.01-99.99。
設置完成后,按“保存”按鈕,保存參數。然后按“退出”按退出材料設置。例如:若設置編號258的材料名稱為H4F,密度2.06,Z因子0.68,則設置完后的界面如下:
設置完成后,按“保存”按鈕保存參數,否則不保存。然后按“退出”按退出材料設置。
(3)膜層編程
主界面中,按“膜層編程”按鈕進入膜層編程界面。

層號碼:待編程的膜層號碼。可任意選擇需要編程的層號碼。
材料:輸入材料所對應的編號。輸入編號后會自動顯示材料名稱以及默認的密度和Z因子。
密度:材料密度。除使用默認值外,用戶也可自行修改密度值。輸入范圍0.01-99.99;
Z因子:材料Z因子。除使用默認值外,用戶也可自行修改該值。輸入范圍0.01-99.99;
工具因子:默認為1。輸入范圍0.01-99.99;
最終厚度:單位為à。范圍為0-999999à。
探頭選擇:A、B、C、D。并顯示所選探頭的當前頻率。
保存:設置完成按“保存”按鈕,參數保存。否則不保存。
下一層:按“下一層”按鈕,可直接切換到下一層的參數設置;
上一層:按“上一層”按鈕,可直接切換到上一層的參數設置;
退出:按“退出”按鈕,退出膜層編程。
(4)開始鍍膜
主界面中按“開始鍍膜”按鈕,進入鍍膜界面。

(1)信息顯示
界面的上部顯示鍍膜的材料、終厚、晶振的當前壽命。
中間部分顯示鍍膜速率曲線。通過“↑”“↓”按鈕可調整速率的顯示量程。
下面部分顯示鍍膜的時速、時厚、鍍膜時間。到達設定厚度時,擋板關閉,時間停止。
(2)控制按鈕
層號:在鍍膜界面中,未開始鍍膜前,按“層號”按鈕,可任意選擇需要鍍膜的層。
開始:按“開始”按鈕,系統開始鍍膜,擋板打開,按鈕由紅色變為綠色。
厚度清零:按此按鈕,之前鍍膜的厚度將被清0。
暫停/退出:鍍膜過程中,可隨時按“退出”停止鍍膜。如果按“退出”按鈕,此時關擋板,進入確認退出頁面,用戶需對退出操作進行確認。這樣可防止用戶誤按按鈕。如下圖所示

終止鍍膜:按終止鍍膜按鈕,終止當前鍍膜,進入鍍膜停止頁面。
繼續鍍膜:按繼續鍍膜按鈕,則開擋板,繼續剛才的鍍膜。
“↑”“↓”:鍍膜過程中,可根據實時速率隨時調整曲線的顯示量程。
切換顯示:鍍膜時,如果不關心曲線,只關心時速、實厚等參數,可按“切換顯示”按鈕,切換顯示界面。此界面中實厚、速率等實時參數均以特大號字號顯示。按“返回曲線”則返回曲線界面。如圖所示。

(3)鍍膜結束
鍍膜過程中,若晶振失效,此時會出現晶振失效倒計時提示,倒計時5s后,若晶振確實失效,則退出鍍膜,進入鍍膜停止界面。
當厚度到達或時間到達后,也進入鍍膜停止頁面。
在鍍膜停止頁面,系統會顯示停止的原因,有以下5種情況:厚度到達自動停止、手動終止、晶振失效終止、鍍膜參數有誤或尚未輸入參數、巡回鍍膜完成。
鍍膜停止頁面還會顯示材料、最終厚度、晶振壽命。
如果設置了擋板延時,則會進行擋板延時倒計時操作。

(5)舉例說明參數設置
鍍膜層參數設置最多為99層。
例如:在第1層中使用A探頭鍍鋁,厚度1000 ?。
按下“膜層編程”按鈕,在彈出的編程界面中依次輸入:層次=1,材料=4(Al),輸入材料后,密度、Z因子、工具因子會自動設置為默認值2.70、1.08、1.00,如果不使用此默認值,也可修改為其他值,最終厚度=1000。探頭選擇=A。設置完成
(6)操作方法
需對某工作層進行鍍膜操作極為簡便。
膜層參數設置好后,主界面中按“開始鍍膜”按鈕,進入鍍膜界面,然后按“層號”按鈕輸入鍍膜層號,然后按“開始”即開始鍍膜。系統會開啟探頭擋板,并開始探測厚度。系統進入鍍膜狀態,數碼管顯示速率和實際厚度,屏幕顯示速率曲線。鍍膜時可通過“切換顯示”按鈕將實際速率和厚度以超大字體的形式顯示。當實際厚度與設定的厚度一致時,鍍膜結束,屏幕顯示鍍膜結束頁面。
(7)人工終止鍍膜
鍍膜過程,您需要終止鍍膜時,按“退出”鍵,屏幕顯示如下圖
此時,如果按“終止鍍膜”按鈕,則終止當前鍍膜,進入鍍膜結束頁面。如果按“繼續鍍膜”則繼續剛才的鍍膜。
四.安裝與連接
本節內容包括儀器與探頭安裝程序,鍍膜系統與儀器接口的使用方法,探頭安裝等,內容為:
*儀器連接:連接后板組件 *探頭安裝
*探頭裝配:晶片裝配方法
在已熟悉FTM-107A膜厚儀的控制、顯示、輸入輸出接頭后,即可安裝。
1. 儀器安裝
膜厚儀可以安裝在操作平臺上,也可以安裝在標準機柜內,但安裝在機柜內應保證儀器有良好的通風口,將電源線插入儀器后板的電源插座。
2. 儀器-晶體振蕩器-探頭的連接
(1) 晶體振蕩器外型參見圖(16)

圖(16) 晶體振蕩器外型
晶體振蕩器尺寸:50X25X25mm(長X寬X高),晶體振蕩器的“晶”端子與探頭連接;“器”端子與儀器探頭座連接。
(2) 連接方法參見圖(17)。
晶體振蕩器尺寸:50X25X25mm(長X寬X高),晶體振蕩器的“晶”端子與探頭連接;“器”端子與儀器探頭座連接。
(2) 連接方法參見圖(17)。

圖(17) 晶體振蕩器連接
將同軸電纜一頭與儀器后板插座卡口對準插入直到接合處,并順時針轉動即可。電纜另一頭用同樣方法插入晶體振蕩器的“器”插座,再將探頭法蘭上的電纜頭與振蕩器的“晶”插座卡口對準插入并順時針轉動即可。
儀器后板插頭座到振蕩器的同軸電纜長度為2米左右,根據用戶要求也可以適當增加,同軸電纜阻抗為75歐姆。
3. 輸出接頭連接
輸出接頭可控制源檔板,也可控制鍍膜源(如電子槍)。
當您需要鍍膜時,按一下“開始”鍵,輸出接頭動作,所使用探頭對應的常開觸點變為常閉觸點。連接方法參見圖(18)帶擋板探頭連接、圖(19)源擋板連接。
注意:使用A探頭時,應將對應擋板控制信號接到擋板A接頭處,使用B探頭則接到擋板B接頭處。每個擋板接頭帶有兩路繼電器,同時閉合斷開,可控制2個設備。具體接口為(1NC,2COM,3NO)(4NC,5COM,6NO)。

圖(18)帶擋板探頭連接

圖(18)帶擋板探頭連接
圖(19)源檔板連接
如果您需控制鍍膜源的,連接方法參見圖(20)

圖(20) 鍍膜源連接
交流接觸器您可以自己選擇。在線圈兩端并聯一只0.068u/680V電容,起到防止接觸器閉合時感抗負載的沖擊。
(1)RS-232/485 連接
RS-232/485電纜使用一個9針DB9接頭與計算機串行口相接。
(2)接地線連接
接地連接是一個有螺紋的螺栓。一種建議方法,直接接到地線上,以提供良好的連接,并容易卸除和安裝。當與濺射系統一起使用時,接地方法也允許修正后以滿足特殊情況的需要,并保持與這個接地網絡連接的距離盡可能的短,接地線盡可能粗。系統接地參見圖(21)。

圖(21)系統接地示意圖
4. 晶片安裝
(1)探頭主體
探頭由兩部分組成:探頭主體,和裝晶片外蓋。探頭主體如圖(22)。

圖(22) 探頭主體
序號 名稱 說明 序號 名稱 說明
1 陶封體 連接信息 2 安裝體 與真空室密封相連
3 密封圈 外徑φ36X3mm 4 法蘭 CF系列或“O”型密封圈(φ26/32mm)
5 水管 外徑φ4mm無縫不銹鋼管 6 同軸電纜 阻抗75歐姆
7 晶片安裝倉 8 彈簧片 鍍金
注:在安裝時一定要小心,因為晶片是很脆性的元件,否則很容易損壞晶片。另外,手不能直接接觸晶片表面,否則不易起振。
(2)探頭結構如圖(23)

圖(23)探頭結構
5. 預安裝探頭校驗
在將您的探頭裝入真空系統之前,您應當通過下列程序操作,確信探頭工作正常。
(1)將探頭通過通過振蕩器與儀器相連。(請注意振蕩器的方向)
(2)開啟儀器電源,屏幕顯示如圖1.5。此時頻率就是新安裝的探頭振蕩頻率。
(3)可以微微呼氣到晶片上,觀察振蕩頻率有否變化,但呼氣不能太大,否則會停振,待水氣蒸發后,頻率應恢復到原始振蕩頻率范圍。
若新安裝的探頭沒有頻率,則按以下排除原因:
(4)停振或不振原因 排除方法
探頭號與選擇號不一致 通過“編程”鍵檢查并修正。
晶體振蕩器輸入輸出接錯 按圖(17)連接
晶片正反面裝錯 晶片重新安裝
彈簧片變形,接觸不良 用鑷子鉗小心整形
晶片損壞 調換晶片
探頭內腔表面有雜質 用細砂皮和酒精清除內腔雜質
電纜線損壞或焊片脫落 用萬用表檢查并進行修復
6. 探頭安裝
探頭可以安裝于真空室系統內任何合適位置。探頭殼體背部提供兩個進出水管接頭和一個帶同軸電纜插頭,以便與系統連接。探頭到法蘭之間長度最長不超過80cm。假如您的工藝允許,在水管,包括電纜線上纏繞錫箔,以便減少來自蒸發源或襯底加熱的熱輻射傷害。水管通水量一般在150-200cc/min,水溫不超過30攝氏度。但對于濺射系統,通水量需大一些,一般在200-300cc/min。
(1)典型安裝
圖(24) 說明了真空室內探頭典型安裝
一般的說,探頭所在位置與基片(襯底)上所沉積厚度和速率成一定比例,這就需用工具因子進行調節。另外,探頭盡可能遠離蒸發源。

圖(24) 典型安裝
(2) 濺射系統安裝
探頭可安裝在濺射系統的任意位置,安裝見圖(25)

圖(25) 濺射系統探頭位置
五.維護、修理和保養
本節是探頭檔板、儀器的維護和修理。
1. 探頭故障、原因、修理

注:在安裝時一定要小心,因為晶片是很脆性的元件,否則很容易損壞晶片。另外,手不能直接接觸晶片表面,否則不易起振。
(2)探頭結構如圖(23)

圖(23)探頭結構
5. 預安裝探頭校驗
在將您的探頭裝入真空系統之前,您應當通過下列程序操作,確信探頭工作正常。
(1)將探頭通過通過振蕩器與儀器相連。(請注意振蕩器的方向)
(2)開啟儀器電源,屏幕顯示如圖1.5。此時頻率就是新安裝的探頭振蕩頻率。
(3)可以微微呼氣到晶片上,觀察振蕩頻率有否變化,但呼氣不能太大,否則會停振,待水氣蒸發后,頻率應恢復到原始振蕩頻率范圍。
若新安裝的探頭沒有頻率,則按以下排除原因:
(4)停振或不振原因 排除方法
探頭號與選擇號不一致 通過“編程”鍵檢查并修正。
晶體振蕩器輸入輸出接錯 按圖(17)連接
晶片正反面裝錯 晶片重新安裝
彈簧片變形,接觸不良 用鑷子鉗小心整形
晶片損壞 調換晶片
探頭內腔表面有雜質 用細砂皮和酒精清除內腔雜質
電纜線損壞或焊片脫落 用萬用表檢查并進行修復
6. 探頭安裝
探頭可以安裝于真空室系統內任何合適位置。探頭殼體背部提供兩個進出水管接頭和一個帶同軸電纜插頭,以便與系統連接。探頭到法蘭之間長度最長不超過80cm。假如您的工藝允許,在水管,包括電纜線上纏繞錫箔,以便減少來自蒸發源或襯底加熱的熱輻射傷害。水管通水量一般在150-200cc/min,水溫不超過30攝氏度。但對于濺射系統,通水量需大一些,一般在200-300cc/min。
(1)典型安裝
圖(24) 說明了真空室內探頭典型安裝
一般的說,探頭所在位置與基片(襯底)上所沉積厚度和速率成一定比例,這就需用工具因子進行調節。另外,探頭盡可能遠離蒸發源。

圖(24) 典型安裝
(2) 濺射系統安裝
探頭可安裝在濺射系統的任意位置,安裝見圖(25)

圖(25) 濺射系統探頭位置
五.維護、修理和保養
本節是探頭檔板、儀器的維護和修理。
1. 探頭故障、原因、修理


2.儀器的保養
(1) 儀器放在通風良好的地方,若在射頻設備中使用,將儀器盡可能地遠離射頻源,接地一定要良好。
(2)注意儀器的防塵。
(3)注意探頭的清潔,保持探頭干凈。
(4)備用晶片應放在干燥箱內。
六.常用材料參數表
Code Formula Density Z-Ratio Material Name
001 Ag 10.50 0.53 Silveer
002 AgBr 6.47 1.18 Silver Bromide
003 AgCl 5.56 1.32 Silver Chloride
004 Al 2.70 1.08 Aluminum
005 Al2O3 3.97 0.34 Aluminum Oxide
006 Al4C3 2.36 1.00 Aluminum Carbide
007 AlF3 3.07 1.00 Aluminum Fluoride
008 AlN 3.26 1.00 Aluminum Nitride
009 AlSb 4.36 0.74 Aluminum Antimonide
010 As 5.73 0.97 Arsenic
011 As2Se3 4.75 1.00 Arsenic Selenide
012 Au 19.30 0.38 Gold
013 B 2.37 0.39 Boron
014 B2O3 1.82 1.00 Boron Oxide
015 B4C 2.37 1.00 Boron Carbide
016 BN 1.86 1.00 Boron Nitride
017 Ba 3.50 2.10 Barium
018 BaF2 4.89 0.79 Barium Fluoride
019 BaN2O6 3.24 1.26 Barium Nitrate
020 BaO 5.72 1.00 Barium Oxide
021 BaTiO3 6.00 0.46 Barium Titanate (Tetr)
022 BaTiO3 6.04 0.41 Barium Titanate(Cubic)
023 Be 1.85 0.54 Beryllium
024 BeF2 1.99 1.00 Beryllium Fluoride
025 BeO 3.01 1.00 Beryllium Oxide
026 Bi 9.80 0.79 Bismuth
027 Bi2O3 8.90 1.00 Bismuth Oxide
028 Bi2S3 7.39 1.00 Bismuth Trisulphide
029 Bi2Se3 6.82 1.00 Bismuth Selenide
030 Bi2Te3 7.70 1.00 Bismuth Telluride
031 BiF3 5.32 1.00 Bismuth Fiuoride
032 C 2.25 3.26 Carbon (Graphite)
033 C 3.52 0.22 Carbon (Diamond)
034 C8H8 1.10 1.00 Parlyene(Union Carbon)
035 Ca 1.55 2.62 Calcium
036 CaF2 3.18 0.78 Calcium Fluoride
037 CaO 3.35 1.00 Calcium Oxide
038 CaO-SiO2 2.90 1.00 Calcium Silicate (3)
039 CaSO4 2.96 0.96 Calcium Sulfate
040 CaTiO3 4.10 1.00 Calcium Titanate
041 CaWO4 6.06 1.00 Calcium Tungstate
042 Cd 8.64 0.68 Cadmium
043 CdF2 6.64 1.00 Cadmium Fluoride
044 CdO 8.15 1.00 Cadmium Oxide
045 CdS 4.83 1.02 Cadmium Sulfide
046 CdSe 5.81 1.00 Cadmium Selenide
047 CdTe 6.20 0.98 Cadmium Telluride
048 Ce 6.78 1.00 Cerium
049 CeF3 6.16 1.00 Cerium(III) Fluoride
050 CeO2 7.13 1.00 Cerium Oxide
051 Co 8.90 0.34 Cobalt
052 CoO 6.44 0.41 Cobalt Oxide
053 Cr 7.20 0.31 Chromium
054 Cr2O3 5.21 1.00 Chromium (III) Oxide
055 Cr3C2 6.68 1.00 Chromium Carbide
056 CrB 6.17 1.00 Chromium Boride
057 Cs 1.87 1.00 Cesium
058 Cs2SO4 4.24 1.21 Cesium Sulfate
059 CsBr 4.46 1.41 Cesium Bromide
060 CsCl 3.99 1.40 Cesium Chloride
061 CsI 4.52 1.54 Cesium Iodide
062 Cu 8.93 0.44 Copper
063 Cu2O 6.00 1.00 Copper Oxide
064 Cu2S 5.60 0.69 Copper (I) Sulfide (Alpha)
065 Cu2S 5.80 0.67 Copper (I) Sulfide (Beta)
066 CuS 4.60 0.82 Copper (II) Sulfide
067 Dy 8.55 0.60 Dysprosium
068 Dy2O3 7.81 1.00 Dysprosium Oxide
069 Er 9.05 0.74 Erbium
070 Er2O3 8.64 1.00 Erbium Oxide
071 Eu 5.26 1.00 Europium
072 EuF2 6.50 1.00 Europium Fluoride
073 Fe 7.86 0.35 Iron
074 Fe2O3 5.24 1.00 Iron Oxide
075 FeO 5.70 1.00 Iron Oxide
076 FeS 4.84 1.00 Iron Sulphide
077 Ga 5.93 0.59 Gallium
078 Ga2O3 5.88 1.00 Gallium Oxide (B)
079 GaAs 5.31 1.59 Gallium Arsenide
080 GaN 6.10 1.00 Gallium Nitride
081 GaP 4.10 1.00 Gallium Phosphide
082 GaSB 5.60 1.00 Gallium Antimonide
083 Gd 7.89 0.67 Gadolinium
084 Gd2O3 7.41 1.00 Gadolinium Oxide
085 Ge 5.35 5.16 Germanium
086 Ge3N2 5.20 1.00 Germanium Nitride
087 GeO2 6.24 1.00 Germanium Oxide
088 GeTe 6.20 1.00 Germanium Telluride
089 Hf 13.09 0.36 Hafnium
090 HfB2 10.50 1.00 Hafnium Boride
091 HfC 12.20 1.00 Hafnium Carbide
092 HfN 13.80 1.00 Hafnium Nitride
093 HfO2 9.68 1.00 Hafnium Oxide
094 HfSi2 7.20 1.00 Hafnium Silicide
095 Hg 13.46 0.74 Mercury
096 Ho 8.80 0.58 Holminum
097 Ho2O3 8.41 1.00 Holminum Oxide
098 In 7.30 0.84 Indium
099 In2O3 7.18 1.00 Indium Sesquioxide
100 In2Se3 5.70 1.00 Indium Selenide
101 In2Te3 5.80 1.00 Indium Telluride
102 InAs 5.70 1.00 Indium Arsenide
103 InP 4.80 1.00 Indium Phosphide
104 InSb 5.76 0.77 Indium Antimonide
105 Ir 22.40 0.13 Iridium
107A K 0.86 10.19 Potassium
107 KBr 2.75 1.89 Potassium Bromide
108 KCl 1.98 2.05 Potassium Chloride
109 KF 2.48 1.00 Potassium Fluoride
110 KI 3.13 2.08 Potassium Iodide
111 La 6.17 0.92 Lanthanum
112 La2O3 6.51 1.00 Lanthanum Oxide
113 LaB6 2.61 1.00 Lanthanum boride
114 LaF3 5.94 1.00 Lanthanum Fluoride
115 Li 0.53 5.90 Lithium
116 LiBr 3.47 1.23 Lithium Bormide
117 LiF 2.64 0.78 Lithium Fluoride
118 LiNbO3 4.70 0.46 Lithium Niobate
119 Lu 9.84 1.00 Lutetium
120 Mg 1.74 1.61 Magnesium
121 MgAl2O4 3.60 1.00 Magnesium Aluminate
122 MgAl2O6 8.00 1.00 Spinel
123 MgF2 3.18 0.64 Magnesium Fluoride
124 MgO 3.58 0.41 Magnesium Oxide
125 Mn 7.20 0.38 Manganese
126 MnO 5.39 0.47 Manganese Oxide
127 MnS 3.99 0.94 Manganese (II) Sulfide
128 Mo 10.20 0.26 Molybdenum
129 Mo2C 9.18 1.00 Molybdenum Carbide
130 MoB2 7.12 1.00 Molybdenum Boride
131 MoO3 4.70 1.00 Molybdenum Oxide
132 MoS2 4.80 1.00 Molybdenum Disulfide
133 Na 0.97 4.80 Sodium
134 Na3AlF6 2.90 1.00 Cryolite
135 Na5Al3F14 2.90 1.00 Chiolite
136 NaBr 3.20 1.00 Sodium Bromide
137 NaCl 2.17 1.57 Sodium Chloride
138 NaClO3 2.16 1.57 Sodium Chlorate
139 NaF 2.56 0.95 Sodium Fluoride
140 NaNO3 2.27 1.19 Sodium Nitrate
141 Nb 8.58 0.49 Niobium (Columbium)
142 Nb2O3 7.50 1.00 Niobium Trioxide
143 Nb2O5 4.47 1.00 Niobium (V) Oxide
144 NbB2 6.97 1.00 Niobium Boride
145 NbC 7.82 1.00 Niobium Carbide
146 NbN 8.40 1.00 Niobium Nitride
147 Nd 7.00 1.00 Neodynium
148 Nd2O3 7.24 1.00 Neodynium Oxide
149 NdF3 6.51 1.00 Neodynium Fluoride
150 Ni 8.91 0.33 Nickel
151 NiCr 8.50 1.00 Nichrome
152 NiCrFe 8.50 1.00 Inconel
153 NiFe 8.70 1.00 Permalloy
154 NiFeMo 8.90 1.00 Supermalloy
155 NiO 7.45 1.00 Nickel Oxide
156 P3N5 2.51 1.00 Phosphorus Nitride
157 Pb 11.30 1.13 Lead
158 PbCl2 5.85 1.00 Lead Chloride
159 PbF2 8.24 0.66 Lead Fluoride
160 PbO 9.53 1.00 Lead Oxide
161 PbS 7.50 0.57 Lead Sulfide
162 PbSe 8.10 1.00 Lead Selenide
163 PbSnO3 8.10 1.00 Lead Stannate
164 PbTe 8.16 0.65 Lead Telluride
165 Pd 12.04 0.36 Palladium
166 PdO 8.31 1.00 Palladium Oxide
167 Po 9.40 1.00 Polonium
168 Pr 6.78 1.00 Praseodymium
169 Pr2O3 6.88 1.00 Praseodymium Oxide
170 Pt 21.40 0.25 Platinum
171 PtO2 10.20 1.00 Platinum Oxide
172 Ra 5.00 1.00 Radium
173 Rb 1.53 2.54 Rubidium
174 RbI 3.55 1.00 Rubidium Iodide
175 Re 21.04 0.15 Rhenium
176 Rh 12.41 0.21 Rhodium
177 Ru 12.36 0.18 Ruthenium
178 S8 2.07 2.29 Sulphur
179 Sb 6.62 0.77 Antimony
180 Sb2O3 5.20 1.00 Antimony Trioxide
181 Sb2S3 4.64 1.00 Antimony Trisulfide
182 Sc 3.00 0.91 Scandium
183 Sc2O3 3.86 1.00 Scandium Oxide
184 Se 4.81 0.86 Selenium
185 Si 2.32 0.71 Silicon
186 Si3N4 3.44 1.00 Silicon Nitride
187 SiC 3.22 1.00 Silicon Carbide
188 SiO 2.13 0.87 Silicon (II) Oxide
189 SiO2 2.65 1.00 Silicon Dioxide
190 Sm 7.54 0.89 Samarium
191 Sm2O3 7.43 1.00 Samarium Oxide
192 Sn 7.30 0.72 Tin
193 SnO2 6.95 1.00 Tin Oxide
194 SnS 5.08 1.00 Tin Sulfide
195 SnSe 6.18 1.00 Tin Selenide
196 SnTe 6.44 1.00 Tin Telluride
197 Sr 2.60 1.00 Strontium
198 SrF2 4.28 0.73 Strontium Fluoride
199 SrO 4.99 0.52 Strontium Oxide
200 Ta 16.60 0.26 Tantalum
201 Ta2O5 8.20 0.30 Tantalum (V) Oxide
202 TaB2 11.15 1.00 Tantalum Boride
203 TaC 13.90 1.00 Tantalum Carbide
204 TaN 16.30 1.00 Tantalum Nitride
205 Tb 8.27 0.66 Terbium
206 Tc 11.50 1.00 Technetium
207 Te 6.25 0.90 Tellurium
208 TeO2 5.99 0.86 Tellurium Oxide
209 Th 11.69 0.48 Thorium
210 ThF4 6.32 1.00 Thorium (IV) Fluoride
211 ThO2 9.86 0.28 Thorium Dioxide
212 ThOF2 9.10 1.00 Thorium Oxyfluoride
213 Ti 4.50 0.63 Titanium
214 Ti2O3 4.60 1.00 Titanium Sesquioxide
215 TiB2 4.50 1.00 Titanium Boride
216 TiC 4.93 1.00 Titanium Carbide
217 TiN 5.43 1.00 Titanium Nitride
218 TiO 4.90 1.00 Titanium Oxide
219 TiO2 4.26 0.40 Titanium (IV) Oxide
220 Tl 11.85 1.55 Thallium
221 TlBr 7.56 1.00 Thallium Bromide
222 TlCl 7.00 1.00 Thallium Chloride
223 TlI 7.09 1.00 Thallium Iodide
224 U 19.05 0.24 Uranium
225 U3O8 8.30 1.00 Tri Uranidum Octoxide
226 U4O9 10.97 0.35 Uranium Oxide
227 UO2 10.97 0.29 Uranium Dioxide
228 V 5.96 0.53 Vanadium
229 V2O5 3.36 1.00 Vanadium Pentoxide
230 VB2 5.10 1.00 Vanadium Boride
231 VC 5.77 1.00 Vanadium Carbide
232 VN 6.13 1.00 Vanadium Nitride
233 VO2 4.34 1.00 Vanadium Dioxide
234 W 19.30 0.16 Tungsten
235 WB2 10.77 1.00 Tungsten Boride
236 WC 15.60 0.15 Tungsten Carbide
237 WO3 7.16 1.00 Tungsten Trioxide
238 WS2 7.50 1.00 Tungsten Disulphide
239 WSi2 9.40 1.00 Tungsten Silicide
240 Y 4.34 0.84 Yttrium
241 Y2O3 5.01 1.00 Yttrium Oxide
242 Yb 6.98 1.13 Ytterium
243 Yb2O3 9.17 1.00 Yttrium Oxide
244 Zn 7.04 0.51 Zinc
245 Zn3Sb2 6.30 1.00 Zinc Antimonide
246 ZnF2 4.95 1.00 Zinc Fluoride
247 ZnO 5.61 0.56 Zinc Oxide
248 ZnS 4.09 0.78 Zinc Sulfide
249 ZnSe 5.26 0.72 Zinc Selenide
250 ZnTe 6.34 0.77 ZincTelluride
251 Zr 6.49 0.60 Zirconium
252 ZrB2 6.08 1.00 Zirconium Boride
253 ZrC 6.73 0.26 Zirconium carbide
254 ZrN 7.09 1.00 Zirconium Nitride
255 ZrO2 5.60 1.00 Zirconium Oxide
256 MgO3Al2O3 8.00 1.00 Spine
257 NiFeMo 8.50 1.00 Supermalloy
七.計算機連接
FTM-107A膜厚儀與計算機相連可實現計算機遠程遙控操作,參數設置以及鍍膜全過程,將會給您分析鍍膜工藝帶來一定的幫助。如有需要可與本公司聯系索取配套軟件。
請在使用我公司產品前先仔細閱讀本使用說明書。如有疑問請聯系我們,我們將竭誠為您服務!
如產品的外觀功能與使用說明書不一致,請以實物為準!
(1) 儀器放在通風良好的地方,若在射頻設備中使用,將儀器盡可能地遠離射頻源,接地一定要良好。
(2)注意儀器的防塵。
(3)注意探頭的清潔,保持探頭干凈。
(4)備用晶片應放在干燥箱內。
六.常用材料參數表
Code Formula Density Z-Ratio Material Name
001 Ag 10.50 0.53 Silveer
002 AgBr 6.47 1.18 Silver Bromide
003 AgCl 5.56 1.32 Silver Chloride
004 Al 2.70 1.08 Aluminum
005 Al2O3 3.97 0.34 Aluminum Oxide
006 Al4C3 2.36 1.00 Aluminum Carbide
007 AlF3 3.07 1.00 Aluminum Fluoride
008 AlN 3.26 1.00 Aluminum Nitride
009 AlSb 4.36 0.74 Aluminum Antimonide
010 As 5.73 0.97 Arsenic
011 As2Se3 4.75 1.00 Arsenic Selenide
012 Au 19.30 0.38 Gold
013 B 2.37 0.39 Boron
014 B2O3 1.82 1.00 Boron Oxide
015 B4C 2.37 1.00 Boron Carbide
016 BN 1.86 1.00 Boron Nitride
017 Ba 3.50 2.10 Barium
018 BaF2 4.89 0.79 Barium Fluoride
019 BaN2O6 3.24 1.26 Barium Nitrate
020 BaO 5.72 1.00 Barium Oxide
021 BaTiO3 6.00 0.46 Barium Titanate (Tetr)
022 BaTiO3 6.04 0.41 Barium Titanate(Cubic)
023 Be 1.85 0.54 Beryllium
024 BeF2 1.99 1.00 Beryllium Fluoride
025 BeO 3.01 1.00 Beryllium Oxide
026 Bi 9.80 0.79 Bismuth
027 Bi2O3 8.90 1.00 Bismuth Oxide
028 Bi2S3 7.39 1.00 Bismuth Trisulphide
029 Bi2Se3 6.82 1.00 Bismuth Selenide
030 Bi2Te3 7.70 1.00 Bismuth Telluride
031 BiF3 5.32 1.00 Bismuth Fiuoride
032 C 2.25 3.26 Carbon (Graphite)
033 C 3.52 0.22 Carbon (Diamond)
034 C8H8 1.10 1.00 Parlyene(Union Carbon)
035 Ca 1.55 2.62 Calcium
036 CaF2 3.18 0.78 Calcium Fluoride
037 CaO 3.35 1.00 Calcium Oxide
038 CaO-SiO2 2.90 1.00 Calcium Silicate (3)
039 CaSO4 2.96 0.96 Calcium Sulfate
040 CaTiO3 4.10 1.00 Calcium Titanate
041 CaWO4 6.06 1.00 Calcium Tungstate
042 Cd 8.64 0.68 Cadmium
043 CdF2 6.64 1.00 Cadmium Fluoride
044 CdO 8.15 1.00 Cadmium Oxide
045 CdS 4.83 1.02 Cadmium Sulfide
046 CdSe 5.81 1.00 Cadmium Selenide
047 CdTe 6.20 0.98 Cadmium Telluride
048 Ce 6.78 1.00 Cerium
049 CeF3 6.16 1.00 Cerium(III) Fluoride
050 CeO2 7.13 1.00 Cerium Oxide
051 Co 8.90 0.34 Cobalt
052 CoO 6.44 0.41 Cobalt Oxide
053 Cr 7.20 0.31 Chromium
054 Cr2O3 5.21 1.00 Chromium (III) Oxide
055 Cr3C2 6.68 1.00 Chromium Carbide
056 CrB 6.17 1.00 Chromium Boride
057 Cs 1.87 1.00 Cesium
058 Cs2SO4 4.24 1.21 Cesium Sulfate
059 CsBr 4.46 1.41 Cesium Bromide
060 CsCl 3.99 1.40 Cesium Chloride
061 CsI 4.52 1.54 Cesium Iodide
062 Cu 8.93 0.44 Copper
063 Cu2O 6.00 1.00 Copper Oxide
064 Cu2S 5.60 0.69 Copper (I) Sulfide (Alpha)
065 Cu2S 5.80 0.67 Copper (I) Sulfide (Beta)
066 CuS 4.60 0.82 Copper (II) Sulfide
067 Dy 8.55 0.60 Dysprosium
068 Dy2O3 7.81 1.00 Dysprosium Oxide
069 Er 9.05 0.74 Erbium
070 Er2O3 8.64 1.00 Erbium Oxide
071 Eu 5.26 1.00 Europium
072 EuF2 6.50 1.00 Europium Fluoride
073 Fe 7.86 0.35 Iron
074 Fe2O3 5.24 1.00 Iron Oxide
075 FeO 5.70 1.00 Iron Oxide
076 FeS 4.84 1.00 Iron Sulphide
077 Ga 5.93 0.59 Gallium
078 Ga2O3 5.88 1.00 Gallium Oxide (B)
079 GaAs 5.31 1.59 Gallium Arsenide
080 GaN 6.10 1.00 Gallium Nitride
081 GaP 4.10 1.00 Gallium Phosphide
082 GaSB 5.60 1.00 Gallium Antimonide
083 Gd 7.89 0.67 Gadolinium
084 Gd2O3 7.41 1.00 Gadolinium Oxide
085 Ge 5.35 5.16 Germanium
086 Ge3N2 5.20 1.00 Germanium Nitride
087 GeO2 6.24 1.00 Germanium Oxide
088 GeTe 6.20 1.00 Germanium Telluride
089 Hf 13.09 0.36 Hafnium
090 HfB2 10.50 1.00 Hafnium Boride
091 HfC 12.20 1.00 Hafnium Carbide
092 HfN 13.80 1.00 Hafnium Nitride
093 HfO2 9.68 1.00 Hafnium Oxide
094 HfSi2 7.20 1.00 Hafnium Silicide
095 Hg 13.46 0.74 Mercury
096 Ho 8.80 0.58 Holminum
097 Ho2O3 8.41 1.00 Holminum Oxide
098 In 7.30 0.84 Indium
099 In2O3 7.18 1.00 Indium Sesquioxide
100 In2Se3 5.70 1.00 Indium Selenide
101 In2Te3 5.80 1.00 Indium Telluride
102 InAs 5.70 1.00 Indium Arsenide
103 InP 4.80 1.00 Indium Phosphide
104 InSb 5.76 0.77 Indium Antimonide
105 Ir 22.40 0.13 Iridium
107A K 0.86 10.19 Potassium
107 KBr 2.75 1.89 Potassium Bromide
108 KCl 1.98 2.05 Potassium Chloride
109 KF 2.48 1.00 Potassium Fluoride
110 KI 3.13 2.08 Potassium Iodide
111 La 6.17 0.92 Lanthanum
112 La2O3 6.51 1.00 Lanthanum Oxide
113 LaB6 2.61 1.00 Lanthanum boride
114 LaF3 5.94 1.00 Lanthanum Fluoride
115 Li 0.53 5.90 Lithium
116 LiBr 3.47 1.23 Lithium Bormide
117 LiF 2.64 0.78 Lithium Fluoride
118 LiNbO3 4.70 0.46 Lithium Niobate
119 Lu 9.84 1.00 Lutetium
120 Mg 1.74 1.61 Magnesium
121 MgAl2O4 3.60 1.00 Magnesium Aluminate
122 MgAl2O6 8.00 1.00 Spinel
123 MgF2 3.18 0.64 Magnesium Fluoride
124 MgO 3.58 0.41 Magnesium Oxide
125 Mn 7.20 0.38 Manganese
126 MnO 5.39 0.47 Manganese Oxide
127 MnS 3.99 0.94 Manganese (II) Sulfide
128 Mo 10.20 0.26 Molybdenum
129 Mo2C 9.18 1.00 Molybdenum Carbide
130 MoB2 7.12 1.00 Molybdenum Boride
131 MoO3 4.70 1.00 Molybdenum Oxide
132 MoS2 4.80 1.00 Molybdenum Disulfide
133 Na 0.97 4.80 Sodium
134 Na3AlF6 2.90 1.00 Cryolite
135 Na5Al3F14 2.90 1.00 Chiolite
136 NaBr 3.20 1.00 Sodium Bromide
137 NaCl 2.17 1.57 Sodium Chloride
138 NaClO3 2.16 1.57 Sodium Chlorate
139 NaF 2.56 0.95 Sodium Fluoride
140 NaNO3 2.27 1.19 Sodium Nitrate
141 Nb 8.58 0.49 Niobium (Columbium)
142 Nb2O3 7.50 1.00 Niobium Trioxide
143 Nb2O5 4.47 1.00 Niobium (V) Oxide
144 NbB2 6.97 1.00 Niobium Boride
145 NbC 7.82 1.00 Niobium Carbide
146 NbN 8.40 1.00 Niobium Nitride
147 Nd 7.00 1.00 Neodynium
148 Nd2O3 7.24 1.00 Neodynium Oxide
149 NdF3 6.51 1.00 Neodynium Fluoride
150 Ni 8.91 0.33 Nickel
151 NiCr 8.50 1.00 Nichrome
152 NiCrFe 8.50 1.00 Inconel
153 NiFe 8.70 1.00 Permalloy
154 NiFeMo 8.90 1.00 Supermalloy
155 NiO 7.45 1.00 Nickel Oxide
156 P3N5 2.51 1.00 Phosphorus Nitride
157 Pb 11.30 1.13 Lead
158 PbCl2 5.85 1.00 Lead Chloride
159 PbF2 8.24 0.66 Lead Fluoride
160 PbO 9.53 1.00 Lead Oxide
161 PbS 7.50 0.57 Lead Sulfide
162 PbSe 8.10 1.00 Lead Selenide
163 PbSnO3 8.10 1.00 Lead Stannate
164 PbTe 8.16 0.65 Lead Telluride
165 Pd 12.04 0.36 Palladium
166 PdO 8.31 1.00 Palladium Oxide
167 Po 9.40 1.00 Polonium
168 Pr 6.78 1.00 Praseodymium
169 Pr2O3 6.88 1.00 Praseodymium Oxide
170 Pt 21.40 0.25 Platinum
171 PtO2 10.20 1.00 Platinum Oxide
172 Ra 5.00 1.00 Radium
173 Rb 1.53 2.54 Rubidium
174 RbI 3.55 1.00 Rubidium Iodide
175 Re 21.04 0.15 Rhenium
176 Rh 12.41 0.21 Rhodium
177 Ru 12.36 0.18 Ruthenium
178 S8 2.07 2.29 Sulphur
179 Sb 6.62 0.77 Antimony
180 Sb2O3 5.20 1.00 Antimony Trioxide
181 Sb2S3 4.64 1.00 Antimony Trisulfide
182 Sc 3.00 0.91 Scandium
183 Sc2O3 3.86 1.00 Scandium Oxide
184 Se 4.81 0.86 Selenium
185 Si 2.32 0.71 Silicon
186 Si3N4 3.44 1.00 Silicon Nitride
187 SiC 3.22 1.00 Silicon Carbide
188 SiO 2.13 0.87 Silicon (II) Oxide
189 SiO2 2.65 1.00 Silicon Dioxide
190 Sm 7.54 0.89 Samarium
191 Sm2O3 7.43 1.00 Samarium Oxide
192 Sn 7.30 0.72 Tin
193 SnO2 6.95 1.00 Tin Oxide
194 SnS 5.08 1.00 Tin Sulfide
195 SnSe 6.18 1.00 Tin Selenide
196 SnTe 6.44 1.00 Tin Telluride
197 Sr 2.60 1.00 Strontium
198 SrF2 4.28 0.73 Strontium Fluoride
199 SrO 4.99 0.52 Strontium Oxide
200 Ta 16.60 0.26 Tantalum
201 Ta2O5 8.20 0.30 Tantalum (V) Oxide
202 TaB2 11.15 1.00 Tantalum Boride
203 TaC 13.90 1.00 Tantalum Carbide
204 TaN 16.30 1.00 Tantalum Nitride
205 Tb 8.27 0.66 Terbium
206 Tc 11.50 1.00 Technetium
207 Te 6.25 0.90 Tellurium
208 TeO2 5.99 0.86 Tellurium Oxide
209 Th 11.69 0.48 Thorium
210 ThF4 6.32 1.00 Thorium (IV) Fluoride
211 ThO2 9.86 0.28 Thorium Dioxide
212 ThOF2 9.10 1.00 Thorium Oxyfluoride
213 Ti 4.50 0.63 Titanium
214 Ti2O3 4.60 1.00 Titanium Sesquioxide
215 TiB2 4.50 1.00 Titanium Boride
216 TiC 4.93 1.00 Titanium Carbide
217 TiN 5.43 1.00 Titanium Nitride
218 TiO 4.90 1.00 Titanium Oxide
219 TiO2 4.26 0.40 Titanium (IV) Oxide
220 Tl 11.85 1.55 Thallium
221 TlBr 7.56 1.00 Thallium Bromide
222 TlCl 7.00 1.00 Thallium Chloride
223 TlI 7.09 1.00 Thallium Iodide
224 U 19.05 0.24 Uranium
225 U3O8 8.30 1.00 Tri Uranidum Octoxide
226 U4O9 10.97 0.35 Uranium Oxide
227 UO2 10.97 0.29 Uranium Dioxide
228 V 5.96 0.53 Vanadium
229 V2O5 3.36 1.00 Vanadium Pentoxide
230 VB2 5.10 1.00 Vanadium Boride
231 VC 5.77 1.00 Vanadium Carbide
232 VN 6.13 1.00 Vanadium Nitride
233 VO2 4.34 1.00 Vanadium Dioxide
234 W 19.30 0.16 Tungsten
235 WB2 10.77 1.00 Tungsten Boride
236 WC 15.60 0.15 Tungsten Carbide
237 WO3 7.16 1.00 Tungsten Trioxide
238 WS2 7.50 1.00 Tungsten Disulphide
239 WSi2 9.40 1.00 Tungsten Silicide
240 Y 4.34 0.84 Yttrium
241 Y2O3 5.01 1.00 Yttrium Oxide
242 Yb 6.98 1.13 Ytterium
243 Yb2O3 9.17 1.00 Yttrium Oxide
244 Zn 7.04 0.51 Zinc
245 Zn3Sb2 6.30 1.00 Zinc Antimonide
246 ZnF2 4.95 1.00 Zinc Fluoride
247 ZnO 5.61 0.56 Zinc Oxide
248 ZnS 4.09 0.78 Zinc Sulfide
249 ZnSe 5.26 0.72 Zinc Selenide
250 ZnTe 6.34 0.77 ZincTelluride
251 Zr 6.49 0.60 Zirconium
252 ZrB2 6.08 1.00 Zirconium Boride
253 ZrC 6.73 0.26 Zirconium carbide
254 ZrN 7.09 1.00 Zirconium Nitride
255 ZrO2 5.60 1.00 Zirconium Oxide
256 MgO3Al2O3 8.00 1.00 Spine
257 NiFeMo 8.50 1.00 Supermalloy
七.計算機連接
FTM-107A膜厚儀與計算機相連可實現計算機遠程遙控操作,參數設置以及鍍膜全過程,將會給您分析鍍膜工藝帶來一定的幫助。如有需要可與本公司聯系索取配套軟件。
請在使用我公司產品前先仔細閱讀本使用說明書。如有疑問請聯系我們,我們將竭誠為您服務!
如產品的外觀功能與使用說明書不一致,請以實物為準!
名稱:上海泰堯真空科技有限公司
網址: m.wcsfgw.cn 郵箱:tyaovac@126.com
北京研發銷售中心 上海銷售中心
地 址:北京大興工業開發區 地 址:上海浦東新區
儀器儀表基地1號樓5層 濰坊路140弄16號104
電 話:13501204752 電 話:13341619513
010 60251308
地 址:北京大興工業開發區 地 址:上海浦東新區
儀器儀表基地1號樓5層 濰坊路140弄16號104
電 話:13501204752 電 話:13341619513
010 60251308

